что называется п н переходом

 

 

 

 

Физические процессы в p-n-переходе. Основным элементом большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочныйПолупроводниковый прибор с р-n-переходом, имеющий два омических вывода, называют полупроводниковым диодом (далее диод). p-n - ПЕРЕХОД (электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной ( n-область) и дырочной (р-область) проводимостью. p-n-переход или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной ( n, от англ. negative — отрицательная). P - n переходом называют область, находящуюся на границе раздела между дырочной и электронной областями одного кристалла.Такое перемещения зарядов называется диффузией. Эта область в полупроводниковом приборе называется обедненной областью.В зависимости от полярности приложенного потенциала P-N переход может иметь либо прямое смещение, либо обратное смещение. Проводимость в этом случае называется дырочной, а о полупроводнике говорят, что он принадлежит к p-типу (от слова positiv — положительный).Основным элементом плоскостных устройств является так называемый р— n - переход. Переход между этими двумя областями носит название или . Если в одном из слоев концентрация основных носителей заряда намного выше , чем в другой области с однотипной электропроводностью, то возникают или - - переходы. Такое включение p-n перехода называется прямым, и ток через p-n переход, вызванный основными носителями заряда, также называется прямым током. Считается, что при прямом включении p-n переход открыт. 1.3.2 Прямое включение p-n перехода. При использовании p-n перехода в полупроводниковых приборах к нему подключается внешнее напряжение.р-области, а отрицательный полюс - к n-области, то включение p-n перехода называют прямым. 4.

5. Полупроводниковый p-n- переход. Полупроводниковым p-n- переходом называют тонкий слойчасть электронов, прошедших из нижней области 1 в 2, могли "проскочить" в верхнюю область 3, не успев рекомбинировать с дырками области 2.

Области 1, 2, 3 называются Соединим проводами такой p-n переход с батарейкой (плюс к p, минус к n).Примесным полупроводником называется кремний, легированный донорными или акцепторными примесями, в противоположность собственному (intrinsic) p-n- переходы, в которых по обе стороны перехода находятся полупроводники с различной шириной запрещенной зоны, например, германий — арсенид галлия, арсенид галлия — фосфид индия и т. д называются гетеропереходами. Это означает, что для создания тока достаточно подключить к p-n-переходу внешнее напряжение порядка лишь нескольких десятых долей одного вольта. Возникающий здесь ток называется прямым током. Дырки в полупроводнике р-типа и электроны в полупроводнике n-типа называются основными носителями в отличие от неосновных (электроны вЭтот обедненный подвижными носителями слой протяженностью в доли микрона и является электронно-дырочным переходом. Основное значение для работы полупроводниковых приборов имеет электронно-дырочный переход, которыйназывают p-n-переходом(область на границе двух полупроводников, один из которых имеет дырочную, а другой электронную электропроводность). 3.2. Электрические переходы. Электрическим переходом называется слой в полупроводнике между двумя областями с различными типами электропроводности ( n-полупроводник, p-полупроводник, металл, диэлектрик) Лекция 18. Электронно-дырочный переход и полупроводниковые диоды. План.

1. Общие сведения о полупроводниках.Контакт двух полупроводников с различными типами проводимости называется р n-переходом. Иногда эту область называют запорным слоем электронно-дырочного перехода.Процесс нагнетания неосновных носителей заряда в какую-либо область полупроводника называется инжекцией. Этот слой получил название электронно-дырочного перехода или сокращенно р- n-перехода.Полярность приложенного напряжения, при которой через полупроводник протекает ток (как в описанном случае), получила название прямой полярности. Напряжение, поданное на np-переход в этом случае называют обратным.Способность np-перехода пропускать ток практически только в одном направлении используется в приборах, которые называются полупроводниковыми диодами. В первом случае р-п-переход называют симметричным, во втором несимметричным.Полярность внешнего напряжения, приводящая к снижению потенциального барьера, называется прямой, или открывающей, а созданный ею ток прямым. Граница между двумя соседними областями полупроводника, одна из которых обладает проводимостью n-типа, а другая p-типа, называется электронно-дырочным переходом (p-n- переходом). СтатьяОбсуждениеПросмотрИстория. Далее Электронно-дырочный переход (сокращенно n-р-переход) возникает в полупроводниковом кристалле, имеющем одновременно области с n-типа (содержит донорные примеси) и р-типа (с акцепторными примесями) Такая ёмкость называется барьерной. Она зависит от внешнего приложенного напряжения, поскольку внешнее напряжение меняет пространственный заряд.Туннельным пробоем электронно-дырочного перехода называют электрический пробой перехода, вызванный Внутр. электрпч. полесосредоточено в обеднённом (запорном) слое р - n- П где концентрацииносителей обоих типов меньше концентраций основных носителей в р -и n -областях вдали от перехода ( п<п п, р< р р),а мин Если в полупроводниковом кристалле контактируют области с разным типом проводимости (p- и n-типа), то между ними также возникает потенциальный барьер, так называемый электронно-дырочный переход или pn-переход. p-n - переход - контактный слой двух примесных полупроводников p- и n- типа. Характерной особенностью p- n - перехода является его односторонняя проводимость: он пропускает ток практически только в одном направлении (от полупроводника p - типа к полупроводнику n- типа). Сопротивление p-n - перехода велико, сила тока мала и практически не зависит от напряжения. Этот способ включения диода называется включением в запирающем или в обратном направлении. P-n переход — граница между двумя типами полупроводниковых кристаллов, соединённых в одном полупроводниковом приборе.Эти два слоя будут вести себя как потенциальный барьер (запирающий слой), который называют p-n переходом. Полупроводники могут иметь собственную или примесную проводимость. Примесную проводимость обоих типов можно создать в одном и том же полупроводни. Электрическое поле в p-n переходе называют потенциальным барьером, а p-n переход — запирающим слоем.Диодом называется электро преобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими p- n переходами и двумя выводами. Свойства p-n-перехода. Примесные полупроводники. Донорная примесь: основные носители заряда - свободные электроны.Существует слабый токнеосновных носителей заряда. Такое включение называется обратным. При создании технологического контакта материалов с разными типами проводимости в области границы образуется небольшой слой, который и называется собственно p-n-переходом (рис.1.2). Вблизи перехода электроны материала N-типа диффундируют через переход, соединяясь с дырками в материале P-типа.Рекомбинация в переходе позволяет току батареи протекать через P-N переход диода. Такое включение называется прямым смещением. КУРСОВАЯ РАБОТА. на тему: «Расчет параметров ступенчатого p-n перехода». Дисциплина: «Физические основы микроэлектроники».Глубина проникновения электрического поля в полупроводник, Ld, называется дебаевской длиной и определяется из уравнения Что бы разобраться как работает p-n переход надо изучить его составляющие то есть полупроводник p — типа и n — типа.Электропроводность такого полупроводника обусловлена движением дырок, поэтому он называется дырочным полупроводником р-типа. Область кристалла с дырочной проводимостью с п-р переходом малой площади называется эмиттером, а переход соответственно называется эмиттерным п-р переходом. Электронно-дырочным называют такой p-n-переход, который образован двумя областямиПри сплавлении полупроводников различных типов создаётся область объёмного заряда по обе стороны от границы раздела, называемая электронно-дырочным или p-n-переходом. В p-n-переходе концентрация основных носителей заряда в p- и n-областях могут быть равными или существенно различаться. В первом случае p- n-переход называется симметричным, во втором - несимметричным. Контактный слой, состоящий из двух примесных полупроводников p- и n-типа, называется p-n-переходом.3. Какое присоединение внешнего напряжения к p-n-переходу называют прямым (обратным) включением? Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется прямым смещением (на область p-типа подан положительный потенциал относительно области n-типа). Они называются полупроводниками n-типа, а примесь, благодаря которой в полупроводнике оказался избыток электронов, называетсяВ этом случае ток называют прямым Iпр, а p-n-переход открытым. На рис. 79 показана вольт-амперная характеристика p- n-перехода. Образование p-n-перехода. При соприкосновении двух полупроводников в приграничном слое происходит воссоединение дырок и электронов.Евнеш Езап, то l, R , Iпр и p-n - переход называется прямым, или открытым. Этот слой получил название электронно-дырочного перехода или сокращенно р- n-перехода.Полярность приложенного напряжения, при которой через полупроводник протекает ток (как в описанном случае), получила название прямой полярности. Его ёщё называют «запирающим слоем», где дырки и электроны, подвергаются рекомбинации. Таким образом, в месте соединения двух полупроводников, которые имеют различные типы проводимости, образуется зона, называемая p-n переходом.электронно-дырочный переход — разновидность гомопереходов, Зоной p-n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p. Электронно-дырочный переход может быть Таким образом, по обе стороны -перехода возникает слой, сопротивление которого значительно превышает сопротивление остальной части кристалла. Этот слой повышенного сопротивления называется запирающим слоем. Этот контакт между областями p и n типа называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом.Такое включение перехода называется обратным. В этом случае полупроводник называется полупроводником p типа. Электронно-дырочный переход (p n переход). p n переходом называют область, находящуюся на границе раздела между дырочной и электронной областями одного кристалла. Обратное включение p-n-перехода осуществляется подачей внешнего напряжения Uобр положительным потенциалом к области n, отрицательным - к области р (рис.2.3.). Внутреннее и внешнее электрические поля направлены в одну сторону

Свежие записи: